Исследованы режимы работы и токовые характеристики устройства электрораспыления с динамическим делением потока распыляемой жидкости и отведением ее излишка из области распыления при нормальных условиях. Показано существование трех наиболее характерных режимов распыления: электроспрей, полевая десорбция, поток. Продемонстрировано, что в режиме распыления "полевая десорбция" стабильность тока распыления и его величина не зависят от величины потока жидкости в диапазоне 50–200 мкл/мин.

Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
Контакты: Краснов Николай Васильевич, krasnov@alpha-ms.com

В данной работе предложено аппаратурное решение схемы мессбауэровского спектрометра с двойной синхронизированной системой доплеровской модуляции, обеспечивающей компенсацию энергетических сдвигов резонансных линий источника мессбауэровского излучения, и конвертора для расширения возможностей резонансного детектирования. Предложенная схема позволяет не ограничиваться выбором резонансной пары источник—конвертор и дает возможность выбирать различные химические соединения для материала резонансного конвертора с максимальным содержанием резонансного изотопа. Такое решение приводит к росту качества спектра, увеличению разрешающей способности и уменьшению времени анализа. Экспериментально продемонстрировано влияние сдвига источник—конвертор на регистрируемый мессбауэровский спектр.

Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
(Панчук В.В., Иркаев С.М., Семенов В.Г.)
Санкт-Петербургский государственный университет, Институт химии (Панчук В.В., Семенов В.Г.)
Контакты: Иркаев Собир Муллоевич,sobir_irkaev@mail.ru

Рассмотрены существующие модели учета влияния геометрического фактора на формирование аналитиче-ского сигнала и фона при выполнении рентгеновского флуоресцентного анализа на энергодисперсионном спектрометре. Предложена модель учета многократного рассеяния с использованием метода МонтеКарло для моделирования процессов радиационного и электронного переноса в элементах рассматриваемого спектрометра. Показано, что учет многократного рассеяния существенно улучшает согласие расчетных и экспериментальных данных.

Иркутский государственный университет (Горбунов М.С., Павлинский Г.В.)
Иркутский государственный университет путей сообщений (Портной А.Ю.)
Контакты: Горбунов Михаил, romepatrician@rambler.ru

Одним из наиболее распространенных полимерных материалов, применяемых для создания микрофлюидных чипов, является полиметилметакрилат. Хотя этот полимер обладает требуемыми физико-химическими свойствами для решения многих прикладных задач в аналитической химии, медицине, биотехнологии, но его гидрофобность и отсутствие реакционно-способных групп на поверхности приводит к необходимости модификации. В работе представлены результаты исследований химических и физических методов обработки полиметилметакрилата с целью улучшения смачивания поверхности и создания условий для последующей организации функциональных групп.

Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
(Рудницкая Г.Е., Лукашенко Т.А., Посмитная Я.С., Тупик А.Н., Евстрапов А.А.)
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Посмитная Я.С., Евстрапов А.А.)
Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Евстрапов А.А.)
Контакты: Евстрапов Анатолий Александрович, an_evs@mail.ru

Представлены результаты экспериментального исследования влияния скорости газового потока на сопротивление чувствительного слоя резистивного полупроводникового сенсора для конструкции сенсора с чувствительным слоем и нагревательным элементом, расположенными на противоположных сторонах диэлектрической подложки, в условиях стабилизации температуры нагревательного элемента. Показано, что в инертных и химически активных газовых средах изменение сопротивления чувствительного слоя при постоянной температуре нагревательного элемента, вызванное изменением скорости потока газа, обдувающего сенсор, повторяет характер температурной зависимости сопротивления чувствительного слоя сенсора, находящегося в постоянном потоке газа. Обсуждается влияние наблюдаемой зависимости на результаты измерений концентрации озона.

"НИФХИ им. Л.Я. Карпова" ГНЦ РФ, г. Москва
(Обвинцева Л.А., Цыркина Т.Б., Сухарева И.П., Аветисов А.К.)
Институт физики атмосферы им. А.М. Обухова Российской академии наук, Москва (Беликов И.Б.)
Контакты: Обвинцева Людмила Алексеевна, obvint@yandex.ru

Работа посвящена исследованию одночастотного режима работы лазерных диодов с длиной волны излучения 635 и 655 нм. Экспериментально исследованы вопросы, касающиеся спектральных характеристик работы лазера. Они включают контроль наличия одночастотного режима, измерение межмодового расстояния, наблюдение перестройки частоты генерации с температурой, измерение уходов среднего значения частоты генерации во времени.

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Контакты: Парфенов Владимир Александрович, ppparfen@mail.ru; Дворцов Денис Валерьевич, otenki@mail.ru

Численными методами исследуется контур возбуждения линейной ловушки с круглыми электродами в зависимости от геометрического параметра γ = r / r₀, где r — радиус электродов и r₀ — радиус вписанной окружности между вершинами этих электродов. Рассматривается случай квадрупольного резонансного параметрического возбуждения колебаний ионов тремя способами: a) дополнительным ВЧ-напряжением; б) амплитудной модуляцией и в) частотной (или фазовой) модуляцией питающего напряжения. Получено, что независимо от метода возбуждения форма пика симметрична и имеет малые "хвосты" при значениях соотношения r / r₀ = 1.12–1.13, при этом разрешающая способность R_0.5, определенная по полувысоте пика, такая же приближенно, как и в случае идеального поля.

Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, г. Рязань (Поляков А.С., Коненков Н.В.)
Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург (Бердников А.С.)
Контакты: Коненков Николай Витальевич, n.konenkov@rsu.edu.ru

Рассматривается проблема численного моделирования траекторий заряженных частиц в электрических полях, которые меняются во времени, как импульсные функции. Поскольку типовые рецепты интегрирования уравнений движения не рассчитаны на разрывный характер функций в правой части уравнений (они предполагают, что эта функция не просто непрерывная, но еще и дифференцируема необходимое число раз), такое поведение электрических полей может приводить к серьезным численным неточностям. В работе исследуется реальная погрешность интегрирования траекторий в импульсных электрических полях при использовании "гладких" рецептов численного интегрирования уравнений движения, анализируются возникающие при этом артефакты численного счета. Также предлагаются простые способы модификации алгоритма численного интегрирования траекторий, позволяющие избавиться от указанного недостатка.

Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург (Бердников А.С., Галль Н.Р.)
Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, г. Санкт-Петербург (Галль Н.Р.)
Санкт-Петербургский Политехнический университет (Галль Н.Р.)
Контакты: Бердников Александр Сергеевич, asberd@yandex.ru

Рассматриваются вопросы приближенного учета множественного рассеяния в условиях влияния границ волновода. Задача решается применительно к шарообразному излучателю, находящемуся в полупространстве у плоской границы. Представлены выражения для прямого, а также однократно рассеянного самим излучателем поля, вызванного наличием отраженных от границы волн. Задача решается в нулевом приближении с помощью полученной ранее техники, вытекающей из того факта, что амплитуда рассеяния удовлетворяет уравнению Гельмгольца по переменным местоположения рассеивателя.

Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
Контакты: Шарфарец Борис Пинкусович, sharb@mail.ru

В работе на примере простейшего жидкого слоя с плоскими границами предложен общий достаточно простой приближенный алгоритм расчета поля, образованного рассеянием излученного сторонним источником первичного поля на включении и рассеянием на включении вторичного поля после его однократного отражения от границ волновода. Под вторичным полем понимается поле рассеяния, вызванное падением на включение первичного поля. Задача рассмотрена для включения в виде произвольного сферически симметричного тела, однако это допущение легко обобщается на произвольное включение. Решение этой задачи оказалось возможным благодаря полученному ранее автором алгоритму нахождения суммарной амплитуды рассеяния при падении на включение волны сложной формы. Алгоритм может быть использован в слоисто-неоднородных волноводах при условии однородности слоя, содержащего включение. Задача легко решается и тогда, когда излучатель и включение совмещены.

Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
Контакты: Шарфарец Борис Пинкусович, sharb@mail.ru

Выполнено моделирование генетических сигналов для оценки эффективности способов обработки информации. Рассмотрены возможности различных способов коррекции базовой линии, фильтрации и повышения разрешающей способности при генетических анализах.

Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
Контакты: Манойлов Владимир Владимирович, manoilov_vv@mail.ru; Белов Юрий Васильевич, bel3838@mail.ru

В настоящее время широкое распространение для промышленного производства монокристаллов сапфира оптоэлектронного качества получил метод Киропулоса (ГОИ). Суть метода заключается в том, что выращивание монокристаллов осуществляется непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры. Обычно управление процессом построено на снижении мощности нагрева согласно заданной функции времени, которая подбирается эмпирически на основании оценок качества кристаллов, полученных в предыдущих процессах. В последние годы для контроля процесса выращивания кристаллов из расплава методом Киропулоса стали применяться датчики веса кристалла. Главным преимуществом контроля процесса кристаллизации с помощью динамического взвешивания является возможность непрерывно измерять и стабилизировать, используя систему обратной связи, массовую скорость кристаллизации, положение и поперечную площадь фронта кристаллизации, т. е. фактически управлять тепло- и массопереносом в области фазового перехода. Однако для метода Киропулоса реализация такой системы требует разработки устройства высокоточного динамического взвешивания выращиваемого кристалла, а также алгоритмов автоматического управления с обратной связью. В настоящей работе рассматриваются особенности конструкции и алгоритмов автоматического управления установки НИКА-М60, позволяющие реализовать автоматическое управление процессом кристаллизации с обратной связью по каналам мощности нагревателя и скорости вытягивания кристалла.

Институт физики твердого тела РАН, г. Черноголовка (Бородин А.В., Францев Д.Н., Юдин М.В.)
Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН, г. Черноголовка (Бородин В.А., Смирнов К.Н., Ширяев Д.Б.)
Контакты: Францев Дмитрий Николаевич, far-far@mail.ru

В настоящее время основные производители мобильных устройств коммуникации (смартфонов, планшетных компьютеров и т. д.) начали применять сапфир в качестве защитного материала экрана. Прочность и высокая твердость сапфира значительно повышают потребительские качества смартфонов, необходимы для планшетных устройств специального назначения. Сдерживающим фактором массового использования и замещения традиционного химически упрочненного стекла сапфиром является высокая стоимость его производства и обработки. ФГУП ЭЗАН разрабатывает и поставляет промышленное оборудование и технологии производства профилированных кристаллов сапфира, которые обеспечивают преимущества в себестоимости и производительности перед технологиями получения защитных экранов из объемных слитков.

Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка (Бородин А.В., Францев Д.Н., Юдин М.В.)
Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН (ФГУП ЭЗАН), Черноголовка (Бородин В.А., Мошаров Т.А.)
Контакты: Юдин Михаил Викторович, mikhail-yu@inbox.ru