ЛАБОРАТОРИЯ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ И СПЕКТРОСКОПИИ ИАП РАН

 
 

Лаборатории

 

Основные этапы развития лаборатории


1984 г.

В лаборатории, руководимой д.ф.-м.н. Л.Н. Галль, к.ф.-м.н. А.О. Голубок организовывает группу для исследований в области неупругой электронной туннельной спектроскопии.

1986 г.

Получен неупругий электронный туннельный спектр бензойной кислоты при Т=4.2К.

[С.А.Виноградова, А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов // Сборник Научное приборостроение, Выпуск Автоматизация научных исследований, Ленинград «Наука», с.3-11 (1988).]

 

По предложению А.О. Голубка в ИАП РАН организован сектор сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии - Заведующий сектором к.ф.-м.н. А.О. Голубок (одна из первых научных групп в СССР, приступившая к исследованиям в области СТМ).

 

Начата первая НИР в области СТМ «Исследование методических и инструментальных принципов построения вакуумного туннельного электронного микроскопа».

1987-1989 г.г.

Измерено пространственное распределение величины энергетической щели в плотности электронных состояний в высокотемпературных сверхпроводниках Y1Ba2Cu3O7-б со структурой керамик, пленок и кристаллов. Обнаружены одноэлектронные осцилляции в локальных туннельных спектрах ВТСП.

[A.O.Golubok, D.N.Davydov, S.Ya.Tipisev // Fourth Internatonal Conferenceon Scanning Tunneling Microscopy / Spectroscopy, Ibaraki, Japan, July 9-14, 1989, AbstractBooklet, p.74.]

[М.П.Петров, М.В.Красинькова, В.И.Березкин, А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, С.Я.Типисев // Письма в ЖТФ, т.14, № 10, с.942-946 (1988).]

[А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, С.Я.Типисев // Письма в ЖТФ, т.14, № 24, с.2233-2236 (1988).]

 

Получено атомное разрешение при визуализации поверхности графита.

[А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, С.А.Масалов, Д.В.Нахабцев, В.А.Тимофеев // Поверхность, №3, с.146-149 (1989)]

Созданы СТМ, работающие при атмосферном давлении.

[А.О.Голубок, Н.А.Тарасов, С.Я.Типисев и др. // Отчет о НИР (1988), 150-НИР-И, № госрегистрации 01860134855, № инвентарный 02880076244]

[А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, В.А. Тимофеев, С.Я.Типисев // Сборник Научное приборостроение. Выпуск Электронно-ионная оптика. Ленинград «Наука» с.72-76 (1989.]

[А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, Д.В. Нахабцев // Сборник Научное приборостроение. Выпуск Электронно-ионная оптика. Ленинград «Наука» с.77-84 (1989)]

[С.М.Войтенко, А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, В.А.Тимофеев, С.Я.Типисев // Авторское свидетельство «Туннельный микроскоп» №1520609 от 8 июля 1989 г.]

[С.В.Гастев, А.С.Грохольский, А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, В.А.Тимофеев, С.Я.Типисев // Авторское свидетельство «Сканирующий туннельный микроскоп», №1705915 от 15 сентября 1991 г.]

[А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, В.А.Тимофеев, С.Я.Типисев // Авторское свидетельство «Туннельный микроскоп», №1721662 от 22 ноября 1991 г.].

1990-1991 г.г.

Организована лаборатория сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии - Заведующий лабораторией к.ф.-м.н. А.О. Голубок.

Измерены локальные туннельные спектры на поверхности узкозонных полупроводников PbTe<Pb>, PbTe<In> при Т=4.2К, обнаружены эффекты, связанные с долговременной релаксацией в системе примесь-зона.

[А.О.Гoлубoк, Д.Н.Давыдов, Е.П.Мусихина, В.И.Кайданов, С.А.Рыков // Письма в ЖТФ, т. 17, вып. 2, с. 36-40 (1991)]
[D.N.Davydov, A.O.Golubok and S.A.Rykov // Ultramicroscopy, 42-44, P. 878-883 (1992)]

 

Визуализированы пленки Ленгмюра-Блоджетт, модифицированные молекулами грамицидина-А, и пептидные комплексы в клеточных мембранах, получены прямые структурные данные об ионных каналах и фотосинтетических центрах.

[С.А.Виноградова, А.О.Гoлубoк, О.В.Коломыткин, С.Я.Типисев // Письма в ЖТФ, т.17, вып.3, с. 85-88 (1991).]

[O.V.Kolomytkin, A.O.Golubok, D.N.Davydov, V.A.Timofeev, S.A.Vinogradova, S.Ya.Tipisev // Biophysical Journal, v. 59(4), p. 889-893 (1991)]

[A.O.Golubok, S.A.Vinogradova, S.Ya.Tipisev, A.Y.Borisov, A.S.Taisova, O.V.Kolomytkin // Ultramicroscopy, 42-44, P. 1228-1235 (1992)].

1992 г.

Получено атомное разрешение на поверхности GaAs в сверхвысоковакуумном СТМ.

[А.О.Голубок, В.А.Тимофеев, В.Ю.Аристов, С.Г.Гелахова // Научное приборостроение т.2, №1, с.74-84 (1992)]

Разработана методика термополевого формирования острия в сверхвысоковакуумном СТМ.

[A.O.Golubok, S.A.Masalov and N.A.Tarasov // Ultramicroscopy, 42-44,  P. 1574-1579 (1992)]

[A.O.Golubok and V.A.Timofeev // Ultramicroscopy, 42-44, P. 1558-1563 (1992)].

Создана СТМ приставка к сканирующему электронному микроскопу.

1993- 1998 г.г.

Проведены систематические исследования наноструктур, образующихся в процессе самоорганизации при МПЭ в однослойных и многослойных системах InAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InAs/Si на сингулярных и вицинальных поверхностях, получены количественные характеристики ансамблей квантовых точек, образующихся в этих системах в процессе самоорганизации.

[N.N.Ledentsov, G.M.Guryanov, G.E.Cirlin, V.N.Petrov, Yu.B.Samsonenko, A.O.Golubok, S.Ya.Tipisev // Semiconductors, v.28 (5), p. 526-527 (1994)]

[G.M. Guryanov, G.E.Cirlin, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, A.O.Golubok, S.Ya.Tipisev, E.P. Musikhina, V.B. Gubanov, Yu.B. Samsonenko, N.N. Ledentsov // Surface Science,  v.331-333, p.414-418 (1995)]

[Г.Э. Цырлин, А.О. Гoлубoк, С.Я. Типисев, Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянoв // ФТП, т.29, вып. 9, с.1697-1701 (1995)]

[G.M.Guryanov, G.E.Cirlin, A.O.Golubok, S.Ya.Tipisev, N.N.Ledentsov, V.A.Shchukin, M.Grundmann, D.Bimberg, Zh.I.Alferov // Surface Science, v.352-354, p.646-650 (1996)]

[G.E.Cirlin, V.N.Petrov, V.G.Dubrovskii, A.O.Golubok, S.Ya.Tipisev, G.M.Guryanov, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, D.Bimberg // Czech. J. Phys., V.47(4) p.379-384 (1997)]

[Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, В.Г.Дубровский, С.А.Масалов, А.О.Голубок, Н.И.Комяк, Н.Н.Леденцов, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг // Письма в ЖТФ, т.24, вып.8, с.10-15 (1998)]

[А.О.Голубок, С.А.Масалов, Н.Б.Пономарева, В.Н.Петров, С.Я.Типисев, Г.Э.Цырлин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып.2, с.70-75 (1998)].

Обнаружены «одноэлектронные» осцилляции в локальных туннельных спектрах алмазоподобных пленок, легированных Cu, при комнатной температуре.

[В.И. Иванов-Омский, А.О.Голубок, С.Г.Ястребов, С.А.Масалов, В.В.Розанов // Письма в ЖТФ, т. 24, N20 (1998)].

Апробирована цифровая следящая система для СТМ.

[Е.В.Булаенко, Д.В.Курочкин, В.В.Манойлов, И.Д.Сапожников, А.О.Голубок // Всероссийское совещание «Зондовая микроскопия-98» (Нижний Новгород, 2-5 марта, 1998, с.188-191].

Предложен способ компенсации термодрейфа на основе теплового исполнительного элемента и дополнительной петли обратной связи.

[С.М.Войтенко, В.В.Куняев, И.Д.Сапожников, А.О.Голубок // Всероссийское совещание «Зондовая микроскопия-98» (Нижний Новгород, 2-5 марта, 1998, с.188-191].

1999- 2005 г.г.

Проведены исследования методом СЗМ объектов различной природы.

[А.О.Голубок // Научное приборостроение, т.9, №3, с.33-47 (1999)]

[Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Голубок А.О., Масалов С.А. // ФТП, т.33, вып.6, с.733-737 (1999)]

[А.О. Голубок, О.М. Горбенко, С.А. Масалов, В.В. Розанов, Т.К. Звонарева, В.И. Иванов-Омский, С.Г. Ястребов // Поверхность, № 7, с. 31 (2000)]

[И.Х. Акопян, М.Э. Лабзовская, Б.В. Новиков, А.О. Голубок, В.В. Розанов, Е.П. Денисов, Т.А. Павлова, Д.Л. Федоров // ФТТ, т. 44, вып. 7, с.1326 (2002)]

[С.И. Голоудина, В.М. Пасюта, М.Ф. Панов, В.В. Лучинин, В.П. Склизкова, И.В.Гофман, В.В.Кудрявцев, В.В. Розанов, А.О.Голубок, В.В. Клечковская // Поверхность, №10, с.103-109 (2003)].

Исследованы режимы нанооксидирования для применения СЗМ в нанотехнологии.

[Д.В. Соколов // Научное приборостроение, т. 11, №1, с.15-21 (2001)]

[Д.В. Соколов // Микросистемная техника, № 5, с.25-29 (2001)].

Разработаны методы обработки СЗМ - изображений.

[А.О. Голубок, О.М. Горбенко, С.А. Масалов, П.А. Фридман, Г.Э. Цырлин // Научное приборостроение, т.10, №1, с. 70-76 (2000)]

[Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, В.Н. Петров, Н.К. Поляков, В.А. Егоров, С.А. Масалов, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, И.П. Сошников, В.М. Устинов // Письма в ЖТФ, т.26, вып.17, с. 59-66 (2000)].

Разработан универсальный датчик для туннельного и силового режимов сканирования.

[А.А. Васильев, С.Ю. Керпелева, И.Д. Сапожников, А.О. Голубок // Научное приборостроение, т.15, № 1, с.62-69 (2005)].

Разработан прибор Цитоскоп.

Разработан совмещенный прибор СЭМ-СТМ-МАС.

Разработана методика исследования переноса заряда в локальном контакте металл-жидкость.

В разные годы в лаборатории были изготовлены различные типы СЗМ (сверхвысоковакуумный, совмещенный с РЭМ, воздушный, низкотемпературный) для ИФТТ РАН (Черноголовка), ИАПУ ДВО РАН (Владивосток), ФТИНТ (Харьков), МГУ (Москва), Электронстандарт (С.Петербург), ИВМ МО РФ (С.Петербург), Центра молекулярной диагностики и лечения (Москва), БИН РАН (С.Петербург). Фирма НТ-МДТ использовала результаты проведенных в лаборатории исследований при выпуске первых партий промышленных СЗМ приборов.

ИАП РАН, Рижский пр., 26., Санкт-Петербург, 190103
тел.: (812) 3630719, факс: (812) 3630720, mail: iap@ianin.spb.su