ЛАБОРАТОРИЯ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ И СПЕКТРОСКОПИИ ИАП РАН

 
 

Лаборатории

 

Публикации

2010 г.

  1. Голубок А.О., Левичев В.В., Матыжонок В.Н., Стовпяга А.В. Зонд для сканирующей микроскопии токов ионной проводимости // Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. - 2010. - № 4(68). - С. 64-67.

  2. Голубок А.О., Чивилихин С.А., Мухин И.С. Рост нановискера под воздействием электронного пучка: математическая модель // Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. - 2010. - № 2(66). - С. 78-83.

  3. Пинаев А.Л., Голубок А.О. Микро- и наномодификация металлического слоя на полимерной подложке в режиме динамической силовой литографии // Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. - 2010. - № 4 (68). - С. 67-73.

  4. V.N. Trukhin, N.N. Zinov'ev, A.V. Andrianov, L.L. Samoilov A.O. Golubok,M.L. Felsztyn, I.D., Sapozhnikov, V.A. Bykov. A.V. Trukhin "Terahertz Coherent Scanning Probe Microscope" Новосибирск, Вестник НГУ, серия Физика 2010.


2009-2006 гг.

  1. Veiko V.P., Golubok A.O., Levichev V.V., Zuong Z., Yakovlev E.B. Multifunctional universal SPM nanoprobe fabrication with laser technology, Laser Physics V 19, №5, 1142-1151,(2009)

  2. Быков В.А., Васильев В.Н., Голубок А.О. Учебно-исследовательская мини-лаборатория по нанотехнологии на базе сканирующего зондового микроскопа NanoEducator, Российские нанотехнологии, Том 4, №5-6,с.45-48 (2009)г.

  3. Голубок А.О., Горбенко О.М., Дворецких А.В., Котов В.В., Сапожников И.Д., Фельштын М.Л. Применение оптических энкодеров в микросканерах СЗМ с большим диапазоном сканирования, Научное приборостроение, том 19, №2, с.3-12, (2009)г.

  4. Голубок А.О., Горбенко О.М., Сапожников И.Д., Фельштын М.Л. Об алгоритме сканирования в СЗМ с оптическими энкодерами линейных перемещений, Научное приборостроение, Т. 19, № 4. с. 44-50, (2009)г.

  5. Голубок А.О., Ковров А.В., Левичев В.В., Мухин И.С., Приходько О.А., Формирование одиночных нановискеров на вершинах зондов сканирующего зондового микроскопа, Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО, №04(62). с. 82-87. (2009)г.

  6. Голубок А.О., Левичев В.В. , Пинаев А.Л., Стовпяга А.В., Исследование пьезорезонансного датчика локального силового взаимодействия сканирующего зондового микроскопа с зондом в виде микропипетки, Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. № 3(61). - с. 59-62 (2009)г.

  7. Стовпяга А.В., Пинаев А.Л., Голубок А.О., Исследование нанозонда для модификации поверхности полимера методом динамической силовой литографии, Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. № 58. - с. 86-91 (2008)г.

  8. Белов В.Д., Голубок А.О. Особенности сочетания твердотельного нанозонда с энергоанализирующими системами высокого разрешения. // «Научное приборостроение», 2007, т.17, №1, с.27-35.

  9. Голубок А.О. В.А.Быков, И.Д.Сапожников, В.В.Котов. Инерционный двигатель, Патент № 2297072, (2007)г.

  10. Голубок А.О. В.А.Быков, И.Д.Сапожников, В.В.Котов. Зонд на основе пьезокерамической трубки, Патент № 3200150, (2007)г.

  11. Голубок А.О. В.А.Быков, И.Д.Сапожников, В.В.Котов. Позиционер 3-х координатный, Патент № 2297078, (2007)г.

  12. Серов И.Н., Анисимов А.В., Лукьянов Г.Н., Мирошниченко С.К., Голубок А.О., Марголин В.И., Барченко В.Т. Исследование процессов магнетронного напыления с применением резонаторов «АЙРЭС» // Нанотехнология, 2006, №4 (8), с.78-81.

  13. Голубок А.О. Сканирующая зондовая микроскопия, спектроскопия и литография, Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО, Выпуск 30, с.9-18 (2006)г.

2005-1988 гг.

  1. Васильев А.А., Керпелева С.Ю., Сапожников И.Д., Голубок А.О. Датчик локального силового и туннельного взаимодействия в сканирующем зондовом микроскопе. Научное приборостроение, т.15, № 1, с.62-69 (2005).

  2. Soshnikov I.P, Kovsh A.R., Ustinov V.M., Kryzhanovskaya N.V., Ledentsov N.N., Bimberg D., Kirmse H., Neumann W., Gorbenko O. M., Lin G., Wang J., Shiao R.S. and Chi J. Semicond. Sci. Technol., V.19, P.501-504 (2004).

  3. Сошников И.П., Крыжановская Н.В., Леденцов Н.Н., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Одноблюдов В.А., Устинов В.М., Горбенко О.М., Kirmse H., Neumann W., Bimberg D.. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТП, т.38, вып.3, с.354-357 (2004).

  4. Голоудина С.И., Пасюта В.М., Панов М.Ф., Лучинин В.В., Склизкова В.П., Гофман И.В., Кудрявцев В.В., Розанов В.В., Голубок А.О., Клечковская В.В. Пленки Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепного полиимида: получение и структура. Поверхность, №10, с.103-109 (2003).

  5. Акопян И.Х., Лабзовская М.Э., Новиков Б.В., Голубок А.О., Розанов В.В., Денисов Е.П., Павлова Т.А., Федоров Д.Л. Формирование кристаллической фазы Hg12 в объеме и на поверхности нанокристаллических матриц. Журнал ФТТ, т. 44, вып. 7, с.1326 (2002).

  6. Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Ястребов С.Г., Голубок А.О., Горбенко О.М., Розанов В.В. Исследование морфологии поверхности пленок аморфного гидрогенизированного углерода, модифицированного медью. ФТП, т.35, вып. 2, с.237 (2001).

  7. Соколов Д.В. Нанооксидирование и нанотравление n-In0.54Ga0.47As при помощи атомно-силового микроскопа. Научное приборостроение, т. 11, №1, с.15-21 (2001).

  8. Соколов Д.В. Воспроизводимость процессов нанооксидирования n-In0.54Ga0.47As при помощи атомно-силового микроскопа. Микросистемная техника, № 5, с.25-29 (2001).

  9. Сошников И.П., Горбенко О.М., Голубок А.О., Леденцов Н.Н. Анализ состава когерентных нановключений твердых растворов по высокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям. ФТП, т. 35, вып. 3, с.361 –366 (2001).

  10. Голубок А.О., Горбенко О.М., Масалов С.А., Фридман П.А., Цырлин Г.Э. Определение характерных параметров СТМ изображений наноструктур методом статистического анализа двумерных случайных полей. Научное приборостроение, т.10, №1, с. 70-76 (2000).

  11. Голубок А.О., Горбенко О.М., Масалов С.А., Розанов В.В., Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Ястребов С.Г. Исследование алмазоподобных пленок, легированных медью, методом сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии Поверхность, № 7, с. 31 (2000).

  12. Голубок А.О., Горбенко О.М., Звонарева Т.К., Масалов С.А., Розанов В.В., Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И. Сканирующая туннельная микроскопия пленок аморфного углерода, модифицированного медью. ФТП, том 34, вып. 2, с. 95-98 (2000).

  13. Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Петров В.Н., Поляков Н.К., Егоров В.А., Масалов С.А., Горбенко О.М., Голубок А.О., Сошников И.П., Устинов В.М. Наноструктурированный твердый раствор InSiAs, полученный на поверхности Si(001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Письма в ЖТФ, т.26, вып.17, с. 59-66 (2000).

  14. Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Голубок А.О., Масалов С.А. Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной эпитаксии. "Физика и техника полупроводников", т.33, вып.6, с.733-737 (1999).

  15. Голубок А.О. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия. Научное приборостроение, т.9, №3, с.33-47 (1999).

  16. Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Голубок А.О., Комяк Н.И., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Получение InAs квантовых точек на кремнии. Письма в ЖТФ, т.24, вып.8, с.10-15 (1998).

  17. Типисев С.Я., Пономарева Н.Б., Голубок О.А., Малев В.В., Кондратьев В.В. СТМ - визуализация поверхности электрохимически осажденных пленок берлинской лазури. Электрохимия, т.34, №1, с.90-96 (1998).

  18. Голубок А.О., Масалов С.А., Пономарева Н.Б., Петров В.Н., Типисев С.Я., Цырлин Г.Э. Исследование квантовых точек на поверхности эпитаксиальных полупроводников А В методом сканирующей туннельной микроскопии. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып.2, с.70-75 (1998).

  19. Иванов-Омский В.И., Голубок А.О., Ястребов С.Г., Масалов С.А., Розанов В.В. Исследование поверхности пленок алмазоподобного углерода, легированного медью. Письма в ЖТФ, т. 24, N20 (1998).

  20. G.E.Сirlin, V.G.Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P.Korneeva, V.N.Demidov, A.O.Golubok, S.A.Masalov, Kurochkin D.V., Gorbenko O.M., Komyak N.I., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Kovsh A.R., Maximov M.V., Tsatsul'nikov A.F., Volovik B.V., Zhukov A.E., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Grundmann M.and Bimberg D. Formation of InAs quantum dots on a silicon (100) surface. Semiconductor Science Technology, p.1262-1265 (1998).

  21. Цырлин Г.Э., Петрoв В.Н., Дубровский В.Г., Поляков Н.К., Типисев С.Я., Гoлубoк А.О., Леденцов Н.Н. Формирование нанoструктур InGaAs/GaAs  методами субмонослойного  напыления из молекулярных пучков. ФТП, т.31, вып.8, с.902-907 (1997).

  22. Cirlin G.E., Petrov V.N., Dubrovskii V.G., Golubok A.O., Tipissev S.Ya., Guryanov G.M., Maximov M.V., Ledentsov N.N., Bimberg D. Direct formation of InGaAs/GaAs quantum dots during submonolayer epitaxies from molecular beams, Czech. J. Phys., V.47(4) p.379-384 (1997).

  23. Cirlin G.E., Petrov V.N., Golubok A.O., Tipissev S.Ya., Dubrovskii V.G., Guryanov G.M., Ledentsov N.N., Bimberg D., Effect of growth kinetics on the InAs/GaAs quantum dot arrays formation on vicinal surfaces, Surface Science, v.377-379, p.895-898 (1997).

  24. Гoлубoк А.О., Сапожников И.Д., Соловьев А.М., Типисев С.Я.. Комбинированные методики сканирующей туннельной и силовой микроскопии. Микроэлектроника, т. 26, вып.4, с. 291-296 (1997).

  25. Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Масалов С.А., Голубок А.О., Леденцов Н.Н. Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии,  Письма в ЖТФ,  т.23,  вып.22, с.80-84 (1997).

  26. Guryanov G.M., Cirlin G.E., Petrov V.N., Polyakov N.K., Golubok A.O., Tipisev S.Ya., Gubanov V.B., Samsonenko Yu.B., Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Grundmann M., Bimberg D., Alferov Zh.I. STM and RHEED study of InAs/GaAs quantum dots obtained by submonolayer molecular beam epitaxial techniques. Surface Science, v.352-354, p.651-655 (1996).

  27. Guryanov G.M., Cirlin G.E., Golubok A.O., Tipisev S.Ya., Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Grundmann M., Bimberg D., Alferov Zh.I. An intermediate (1.0-1.5 monolayers) stage of heteroepitaxial growth of InAs (100) during submonolayer molecular beam epitaxy, Surface Science, v.352-354, p.646-650 (1996).

  28. Tipissev S.Ya.and Golubok A.O. Nanostep movement and measurement, Tribology International v.29 (5), p.373-376 (1996).

  29. Гурьянoв Г.М., Цырлин Г.Э., Петрoв В.Н., Самсоненко Ю.Б., Губанов В.Б., Поляков Н.К., Гoлубoк А.О., Типисев С.Я., Леденцов Н.Н. Самоорганизация квантоворазмерных напряженных InGaAs структур на разориентированных поверхностях GaAs(100) при субмонослойной  мoлекулярнo-пучкoвoй эпитаксии.   ФТП, т.29, вып.9, с.1642-1648 (1995).

  30. Guryanov G.M., Cirlin G.E., Petrov V.N., Polyakov N.K., Golubok A.O., Tipisev S.Ya., Musikhina E.P., Gubanov V.B., Samsonenko Yu.B., Ledentsov N.N. Formation of InGaAs/GaAs quantum dots by submonolayer molecular beam epitaxy. Surface Science, v.331-333, p.414-418 (1995).

  31. Cirlin G.E., Guryanov G.M., Golubok A.O., Tipissev S.Ya., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Grundmann M., Bimberg D. Ordering phenomena in IaAs strained layer morphological transformation  on GaAs(100) surface, Appl.Phys.Lett., v.67, p.97-99 (1995).

  32. Цырлин Г.Э., Гoлубoк А.О., Типисев С.Я., Леденцов Н.Н., Гурьянoв Г.М. Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии. ФТП, т.29, вып. 9, с.1697-1701 (1995).

  33. Ledentsov N.N., Gur'yanov G.M., Tsyrlin G.E., Petrov V.N., Samsonenko Yu.B., Golubok A.O. and Tipisev S.Ya. Effect of heat -treatment conditions on the surface morphology of gallium  arsenide grown on vicinal GaAs (100) substrates by molecular- beam epitaxy, Semiconductors, v.28 (5), p. 526-527 (1994).

  34. Гoлубoк А.О., Гурьянoв Г.М., Леденцов Н.Н., Петрoв В.Н., Самсоненко Ю.Б., Типисев С.Я., Цырлин Г.Э. Фомирование массивов фасеток на вицинальных поверхностях GaAs(100) при мoлекулярнo-пучкoвoй эпитаксии. ФТП, т.28, вып. 3, с. 515-518 (1994).

  35. Н.Н.Леденцов, Г.М.Гурьянoв, Г.Э.Цырлин, В.Н.Петрoв, Ю.Б.Самсоненко, А.О.Гoлубoк,  С.Я.Типисев, Влияние условий термической обработки на морфологию поверхности арсенида галлия, выращенного на вицинальных подложках GaAs(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТП, т.28, вып. 5, с. 904-907 (1994).

  36. Golubok A.O., Masalov S.A.and Tarasov N.A. Thermofield tip formation in UHV/STM combined with  field-emission microscope, Ultramicroscopy, 42-44,  P. 1574-1579 (1992).

  37. Golubok A.O.and Timofeev V.A. STM combined with SEM without SEM capability limitations, Ultramicroscopy, 42-44, P. 1558-1563 (1992).

  38. A.O.Golubok, S.A.Vinogradova, S.Ya.Tipissev, A.Y.Borisov, A.S.Taisova, O.V.Kolomytkin,  STM/STS study of photosynthetic bacterial membrane. Ultramicroscopy, 42-44, P. 1228-1235 (1992).

  39. Davydov D.N., Golubok A.O.and Rykov S.A. Local tunneling spectroscopy of n-PbTe surface, Ultramicroscopy, 42-44, P. 878-883 (1992).

  40. Golubok A.O., Vinogradova S.A., Tipissev S.Ya. Algorithms of Measuring, Processing and Interpretation of Data Obtained with Scanning Tunneling Microscope. Computers in Physics, v.6(4),  p.327 (1992).

  41. Гoлубoк А.О., Давыдов Д.Н., Мусихина Е.П., Кайданов В.И., Рыков С.А. Локальная туннельная спектроскопия теллурида свинца в  сканирующем туннельном микроскопе. Письма в ЖТФ, т. 17, вып. 2, с. 36-40 (1991).

  42. Виноградова С.А., Гoлубoк А.О., Коломыткин О.В., Типисев С.Я. Исследование пленок Ленгмюра-Блоджетт в сканирующем туннельном микроскопе при атмосферном давлении. Письма в ЖТФ, т.17, вып.3, с. 85-88 (1991).

  43. Kolomytkin O.V., Golubok A.O., Davydov D.N., Timofeev V.A., Vinogradova S.A., Tipisev S.Ya. Ionic channels in Langmuir-Blodgett films imaged by a scanning tunneling microscope. Biophysical Journal, v. 59(4), p. 889-893 (1991).

  44. Виноградова С.А., Гoлубoк А.О., Коломыткин О.В., Типисев С.Я. СТМ исследование молекул грамицидина А, встроенных в пленку Ленгмюра-Блоджетт. Письма в ЖЭТФ, т. 51, вып. 10, с. 513-515 (1990).

  45. Голубок А.О., Тарасов Н.А. О влиянии геометрических неоднородностей поверхности на измерение локальной работы выхода методом СТМ, Письма в ЖТФ, т.16, вып.11, с.41-45 (1990).

  46. Голубок А.О., Давыдов Д.Н., Масалов С.А., Нахабцев Д.В., Тимофеев В.А. Наблюдение поверхности графита при атмосферном давлении. Поверхность,  №3, с.146-149 (1989).

  47. Петров М.П., Красинькова М.В., Березкин В.И., Голубок А.О., Давыдов Д.Н., Типисев С.Я. Туннельная электронная спектроскопия сверхпроводящей керамики YBaCuO, Письма в ЖТФ, т.14, № 10, с.942-946 (1988).

  48. Голубок А.О., Давыдов Д.Н., Типисев С.Я. Осцилляции проводимости туннельных контактов металл-диэлектрик-сверхпроводник YBaCuO, Письма в ЖТФ, т.14, № 24, с.2233-2236 (1988).

ИАП РАН, Рижский пр., 26., Санкт-Петербург, 190103
тел.: (812) 3630719, факс: (812) 3630720, mail: iap@ianin.spb.su