ЛАБОРАТОРИЯ ПРИБОРОВ И МЕТОДОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОТЕХНОЛОГИЙ ИАП РАН

 

Лаборатории

 

Публикации


2010 г.

  1. Н.В.Сибирев, М.В.Назаренко, Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсоненко, В.Г.Дубровский. "Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов", ФТП, 2010, том 44, выпуск 1, с. 114-118.
     
  2. П.А.Дементьев, М.С.Дунаевский, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин, А.Н.Титков. "Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs", ФТП, 2010, том 44, выпуск 5, с. 636-641.
     
  3. G.E.Cirlin, A.D.Bouravleuv, I.P.Soshnikov, Yu.B.Samsonenko, V.G.Dubrovskii, E.M.Arakcheeva, E.M.Tanklevskaya, P. Werner."Photovoltaic Properties of p-Doped GaAs Nanowire Arrays Grown on n-Type GaAs(111)B Substrate", Nanoscale Research Letters, 2010, V. 5, N. 2, p. 360-363.
     
  4. M.B.Smirnov, V.G.Talalaev, B.V.Novikov, S.V.Sarangov, N.D.Zakharov, P.Werner, U.Gosele, J.W.Tomm, G.E.Cirlin. "Temperature dependent luminescence from quantum dot arrays: phonon-assisted line broadening versus carrier escape-induced narrowing", Phys. Status Solidi B 2010, v.247, No. 2, p.347-352.
     
  5. A.D.Bouravleuv, N.V.Sibirev, G.Statkute, G.E.Cirlin, H.Lipsanen, V.G.Dubrovskii. "Influence of substrate temperature on the shape of GaAs nanowires grown by Au-assisted MOVPE", Journal of Crystal Growth 2010, v.312, p.1676-1682.
     
  6. В.Г.Талалаев, А.В.Сеничев, Б.В.Новиков, J.W.Tomm, T.Elsaesser, Н.Д.Захаров, P.Werner, U.Gosele, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин. "Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции", ФТП, 2010, том 44, выпуск 8, с. 1084-1092.
     
  7. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D.Bouravleuv, K.Durose, Y.Y.Proskuryakov, Budhikar Mendes, L.Bowen, M.A.Kaliteevski, R.A.Abram, Dagou Zeze. "Self-catalyzed, pure zincblende GaAs nanowires grown on Si(111) by molecular beam epitaxy", Phys.Rev.B, 2010, v.82, N3, 035302.
     
  8. B.V.Novikov, S.Yu.Serov, N.G.Filosofov, I.V.Strohm, V.G.Talalaev, O.F.Vyvenko, E.V.Ubyivovk, Yu.B.Samsonenko, A.D.Bouravleuv, I.P.Soshnikov, N.V.Sibirev, G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii. "Photoluminescence properties of GaAs nanowire ensembles with zincblende and wurtzite crystal structure", Phys. Status Solidi RRL, 2010, v. 4, No. 7, p.175-177.
     
  9. M.H. Sun, E.S.P.Leong, A.H.Chin, C.Z.Ning, G.E.Cirlin, Yu.B.Samsonenko, V.G.Dubrovskii, L.Chuang, C.Chang-Hasnain. "Photoluminescence properties of InAs nanowires grown on GaAs and Si substrates", Nanotechnology, v.21 335705 (2010).
     
  10. X.Zhang, V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, G.E.Cirlin, C.Sartel, M. Tchernycheva, J.C.Harmand, F.Glas. "Growth of Inclined GaAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy: Theory and Experiment", Nanoscale Res Lett , 2010, v. 5, p.1692-1697.o.
     
  11. Г.Э.Цырлин. "Полупроводниковые нитевидные кристаллы: рост, оптические и электрофизические свойства", Труды XIV международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника", Н.Новгород, 15 - 19 марта, 2010, с. 177-178 (приглашенный).
     
  12. И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсоненко, Н.Д.Ильинская, Ю.М.Задиранов, В.М.Устинов. "Рост GaAs ННК в мезаструктурах", Труды XIV международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника", Н.Новгород, 15 - 19 марта, 2010, с. 511-512 (постер).
     
  13. Н.В.Сибирев, Г.Э.Цырлин, А.Д.Буравлев, М.В.Назаренко, Ю.Б.Самсоненко, М.А.Тимофеева, В.Г.Дубровский. "Поверхностная энергия III-V соединений и нелинейные эффекты роста полупроводниковых нитевидных кристаллов", Труды XIV международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника", Н.Новгород, 15 - 19 марта, 2010, с. 527-528 (постер).
     
  14. G.E.Cirlin, A.D.Bouravleuv, I.P.Soshnikov, Yu.B.Samsonenko, V.G.Dubrovskii, E.M.Arakcheeva, E.M.Tanklevkaya, P.Werner. "Photovoltaic properties of Au-assisted GaAs nanowire arrays grown by molecular beam epitaxy", Proc.18th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.127-128. (oral).
     
  15. V.N.Katz, V.P.Kochereshko, A.V.Platonov, T.V.Chizova, G.E.Cirlin, A.D.Bouraveuv, Yu.B.Samsonenko, J.Bleuse, H.Mariette. "Photoluminescent study of the GaAs quantum dots embedded into the AlGaAs nanowires", Proc.18th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.162-163. (poster).
     
  16. B.V.Novikov, S.Yu.Serov, N.G.Filosofov, I.V.Strohm, V.G.Talalaev, O.F.Vyvenko, E.V.Ubyivovk, A.S.Bondarenko, Yu.B.Samsonenko, A.D.Bouravleuv, I.P.Soshnikov, N.V.Sibirev, V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin. "Photoluminescence study of GaAs nanowires of different crystal structures", Proc.18th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.234-235 (poster).
     
  17. V.G.Talalalev, A.V.Senichev, B.V.Novikov, J.M.Tomm, N.D.Zakharov, P.Werner, Yu.B.Samsonenko, G.E.Cirlin. "InGaAs tunnel-injection nanostructures: transport via nanobridge states versus drift", Proc.18th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.273-274. (poster).
     
  18. A.Bouravleuv, S.Novikov, N.Lebedeva, N.Sibirev, G.Cirlin, H.Lipsanen. "(GaMn)As anowiskers grown by molecular beam epitaxy", Proc.18th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.331-332. (poster).
     
  19. Yu.B.Samsonenko, A.D.Bouavleuv, N.K.Polyakov, V.P.Ulin, A.G.Gladyshev, G.E.Cirlin. "Self-catalysed molecular beam growth of III-V nanowires on different substrates", Proc.18th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.341-342. (poster).
     
  20. I.P.Soshnikov, A.G.Gladushev, Dm.Afanasyev, G.E.Cirlin, A.D.Bouravlev, Yu.B.Samsonenko. "Growth of ordered II-V nanowiskers usinf electron lithography", Proc.18th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.347-348. (poster).
     
  21. Xu Zhang, N.V.Sibirev, G.E.Cirlin, C.Satrel, M.Tchernycheva, J.C.Harmand, V.G.Dubrovskii. "The growth of inclined GaAs nanowires during molecular beam epitaxy: Theory and experiment", Proc.18th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.357-358. (poster).
     
  22. A.Titkov, M.Dunaevskii, G.E.Cirlin, I.P.Soshnikov, M.I.Lepsa. "Effect of surface claddings on electrical properties of GaAs nanowires: AFM/EFM studies of individual GaAs nanowires", Abs. VI Russian-French Workshop on Nanosciencs and nanotechnologies, Paris, 13-15 Semtember 2010, p. 21 (invited).
     
  23. V.N.Kats, V.P.Kochereshko, A.V.Platonov, T.V.Chizhova, G.E.Cirlin, A.D.Bouravleuv, Yu.B.Samsonenko. "Photoluminescence stidies of the GaAs quantum dots embedded into the AlGaAs nanowires", Abs. VI Russian-French Workshop on Nanosciencs and nanotechnologies, Paris, 13-15 Semtember 2010, p. 45 (invited).
     
  24. G.E.Cirlin, Yu.B.Samsonenko, A.I.Khrebtov, A.D.Bouraulev, V.G.Dubrovskii, B.Mendis, K.Durose, P.Werner. "Pure zinc blende, self-catalised GaAs nanowires on Si(111) grown by MBE", Abs. 5th Workshop on Nanowire Growth, Rome, Italy, November 4-5, 2010, p.36 (poster).
     
  25. N.V.Sibirev, M.V.Nazarenko, G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii. "Critical radii of zincblende-wurtzite phase transition in VLS growth of III-V nanowires", Abs. 5th Workshop on Nanowire Growth, Rome, Italy, November 4-5, 2010, p.45 (poster).
     
  26. V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, X.Zhang, G.E.Cirlin, R.A.Suris, C.Chang-Hasnanin. "Stress-driven nucleation of catalyst-free nanowires and nanoneedles in lattice mismatched material systems", Abs. 5th Workshop on Nanowire Growth, Rome, Italy, November 4-5, 2010, p.68 (oral)
     

2009-2006 гг.

  1. И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, А.М.Надточий, В.Г.Дубровский, М.А.Букин, В.А.Петров, В.В.Бусов, С.И.Трошков. «Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения», ФТП, 2009, том 43, выпуск 7, с. 938-942.

  2. Л.И.Горай, Н.И.Чхало, Г.Э.Цырлин. «Определение углов наклона и высот граней квантовых точек из анализа диффузного и зеркального рентгеновского рассеяния», ЖТФ, 2009, том 79, выпуск 4, с. 117-124.

  3. Н.В.Сибирев, В.Г.Дубровский, Е.Б.Аршанский, Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсоненко, В.М.Устинов. «О диффузионных длинах адатомов Ga на поверхностях AlAs(111) и GaAs(111)», ЖТФ, 2009, том 79, выпуск 4, с. 142-145.

  4. В.Г.Дубровский, Г.Э.Цырлин, В.М.Устинов. «Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения. Обзор», ФТП, 2009, том 43, выпуск 12, с. 1585-1629.

  5. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, I.PSoshnikov, N.V.Sibirev, Yu.B.Samsonenko, A.D.Bouravleuv, J.C.Harmand, F.Glas. "Critical diameters and temperature domains for MBE growth of III-V nanowires on lattice mismatched substrates", Phys. Status Solidi RRL, 2009, v.3, No. 4, 112-114.

  6. V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, G.E.Cirlin, I.P.Soshnikov, W.H.Chen, R.Larde, E.Cadel, P.Pareige, T.Xu, B.Grandidier, J.-P.Nys, D.Stievenard, M.Moewe, L.C.Chuang, C.Chang-Hasnain, "Gibbs-Thomson and diffusion-induced contributions to the growth rate of Si, InP, and GaAs nanowires", Phys. Rev. B 79, 205316 (2009).

  7. U.Perinetti, N.Akopian, Yu.B.Samsonenko, A.D.Bouravleuv, G.E.Cirlin, V.Zwiller, "Sharp emission from single InAs quantum dots grown on vicinal GaAs surfaces", Appl. Phys. Lett. 94, 163114 (2009).

  8. Н.В.Сибирев, В.Г.Дубровский, Г.Э.Цырлин, И.П.Сошников, М.В.Назаренко, Ю.Б.Самсоненко. «Влияние нуклеации на кристаллическую структуру полупроводниковых нитевидных нанокристаллов», Труды XIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 16-20 марта 2009, Н.Новгород, с. 16-17.

  9. Г.Э.Цырлин, А.Д.Буравлев, Ю.Б.Самсоненко, G.Statkute, H.Lipsanen. «Рост А3В5 нитевидных нанокристаллов без внешнего катализатора». Труды XIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 16-20 марта 2009, Н.Новгород, с. 28-29.

  10. И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, А.М.Надточий, В.Г.Дубровский, М.А.Букин, В.А.Петров, В.В.Бусов, С.И.Трошков. «Рост GaAsN нитевидных нанокристаллов при осаждении магнетронным осаждением». Труды XIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 16-20 марта 2009, Н.Новгород, с. 430-431.

  11. V.G.Talalaev, A.V.Senichev, J.M.Tomm, N.D.Zakharov, P.Werner, U.Goesele, B.V.Novikov, Yu.B.Samsonenko, A.D.Bouravleuv, I.P.Soshnikov, G.E.Cirlin. "Ultra-fast carrier exchange in tunnel-injection structures with nano-bridges. Tuning be an external field", Proc.17th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.123-124.

  12. V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, G.E.Cirlin, I.P.Soshnikov, W.Chen, R.Larde, E.Cadel, P.Pareige, T.Xu, B.Grandidier, J.-P.Nys, D.Stievenard, M.Moewe, L.C.Chuang, C.Chang-Hasnain, J.C.Harmand, F.Glas. "Non-linear growth kinetics of semiconductor nanowires", Proc.17th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.119-120.

  13. G.E.Cirlin, Yu.B.Samsonenko, A.D.Bouravleuv, I.P.Soshnikov, N.K.Polyakov, N.V.Sibirev, V.G.Dubrovskii, M.Tchernycheva, J.C.Harmand. "A3B5 cjherent nanowires on silicon substrates: MBE growth and properties", Proc.17th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.123-124.

  14. A.D.Bouravleuv, G.Statkute, G.E.Cirlin, H.Lipsanen. "Self-catalized MOVPE growth of GaAs whiskers", Proc.17th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.125-126.

  15. N.V.Sibirev, V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, Yu.B.Samsonenko, M.V.Nazarenko, "Initial stage of semiconductor nanowire growth: theory and experiment", Proc.17th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.168-169.

  16. I.P.Soshnikov, G.E.Cirlin, A.M.Nadtochii, V.G.Dubrovskii, M.A.Bukin, V.A.Petrov, V.V.Busov, S.I.Troshkov."Growth of GaAsN nanowhiskers by magnetron sputtering deposition", Proc.17th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.170-171.

  17. B.V.Novikov, S.Yu.Serov, N.G.Filosofov, I.V.Shtrom, V.G.Talalalev, O.F.Vyvenko, E.V.Ubyivovk, Yu.B.Samsonenko, A.D.Bouravleuv, I.P.Soshnikov, N.V.Sibirev, V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin. "Optical properties of GaAs nanowires studied by low temperature photoluminescence", Proc.17th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.186-187.

  18. В.Г. Талалаев, А.В. Сеничев, Б.В. Новиков, Н.Д. Захаров, P. Werner, J.W. Tomm, Ю.Б. Самсоненко, А.Д. Буравлев, И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин. «Инверсия и резонанс состояний в туннельно-инжекционных наноструктурах InGaAs". Тезисы IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск-Томск, 28 сентября - 3 октября 2009, с. 133.

  19. Н.В.Сибирев, В.Г.Дубровский, Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсоненко, М.А.Тимофеева, А.Г.Гладышев, М.В.Назаренко. «Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитвидных нанокристаллов». Тезисы IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск-Томск, 28 сентября - 3 октября 2009, с. 153.

  20. Г.Э.Цырлин, Н.В.Сибирев, С.Sartel, J.-C.Harmand. «Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111)B и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии», ФТП, 2008,т. 42 (6) с. 726-729.

  21. V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, G.E.Cirlin, M.Tchernycheva, J.C.Harmand, V.M.Ustinov. "Shape modification of III-V nanowires: The role of nucleation on sidewalls", Rhys.Rev.E, 2008, v. 77, 031606 (7p).

  22. L.Largeau, D.L.Dheeraj, M.Tchernycheva, G.E.Cirlin, J.C.Harmand. "Facet and in-plane crystallographic orientations of GaN nanowires grown on Si(111)", Nanotechnology, 2008, v. 19, 155704 (5pp).

  23. М.М.Соболев, Г.Э.Цырлин, А.А.Тонких, Н.Д.Захаров. «Эффект Ваннье--Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si». ФТП, 2008, т. 42, c. 311 -315.

  24. И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, Н.В.Сибирев, В.Г.Дубровский, Ю.Б.Самсоненко, D.Litvinov, D.Gerthsen «Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs», Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 12 c. 88-94.

  25. М.В.Назаренко, Н.В.Сибирев, Г.Э.Цырлин, G.Patriarche, J.-C.Harmand, В.Г.Дубровский «Формирование гетероструктур в нитевидных нанокристаллах по диффузионному механизму». Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 17 c. 52-59.

  26. Gilles Patriarche, Frank Glas, Maria Tchernycheva, Corinne Sartel, Ludovic Largeau, and Jean-Christophe Harmand, George E. Cirlin "Wurtzite to Zinc Blende Phase Transition in GaAs Nanowires Induced by Epitaxial Burying". Nano Lett., 2008, v. 8(6) , p.1638-1643.

  27. Б.В.Новиков, Г.Г.Зегря, Р.М.Пелещак, О.О.Данькив, В.А.Гайсин, В.Г.Талалаев, И.В.Штром, Г.Э. Цырлин «Барические свойства квантовых точек InAs». ФТП, 2008,т. 42(9), с. 1094 - 1101.

  28. Н.В.Сибирев, В.Г.Дубровский, Г.Э.Цырлин, В.А.Егоров, Ю.Б.Самсоненко, В.М.Устинов. «О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения». ФТП,2008, т. 42(11), с. 1286 - 1290.

  29. V.G.Talalaev, J.W.Tomm, N.D Zakharov, P Werner, U.Gosele, B.V.Novikov, A.S.Sokolov, Y.B.Samsonenko, V.A.Egorov, G.E.Cirlin, "Transient carrier transfer in tunnel injection structures". Appl.Phys.Lett., 2008, v. 93, 031105 (3pp).

  30. M.Tchernycheva, C.Sartel, G.Cirlin, L.Travers, G.Patriarche, L.Largeau, O.Mauguin, J.-C. Harmand, Le Si Dang, J Renard, B.Gayral, L Nevou, F.Julien, "GaN/AlN free-standing nanowires grown by molecular beam epitaxy", phys. stat. sol. (c), 2008, v. 5(6), 1556-1558.

  31. Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин, В.А.Егоров, Н.К.Поляков, В.П.Улин, В.Г.Дубровский, «Особенности формирования нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния при молекулярно-пучковой эпитаксии». ФТП, 2008, т. 42(12), с. 1478-1482.

  32. V.G.Talalaev, G.E.Cirlin, A.A.Tonkikh , N.D.Zakharov, P.Werner, U.Gosele, J.W.Tomm, T.Elsaesser. "Miniband-related 1.4-1.8 ?m Luminescence of Ge/Si Quantum Dot Superlattices", in: Handbook of Selfassembled Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics, Elsevier, 2008 ed. M.Henini, p.324 - 345.

  33. V.A.Gaisin, B.V.Novikov, V.G.Talalaev, M.O.Tagirov, N.D.Zakharov, Yu.B.Samsonenko, A.A.Tonkikh, V.A.Egorov. "The influence of hydrostatic pressure and temperature on photoluminescence spectrum of multilayer-structure planarly ordered quantum dot InAs/GaAs", Proc.16th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - July 14-19 2008, Vladivostok, 2008, p.80-81.

  34. V.G.Talalaev, J.W.Tomm, N.D.Zakharov, P.Werner, U.Gosele, B.V.Novikov, Yu.B.Samsonenko, V.A.Egorov, G.E.Cirlin, "Carrier transfer and light emission in hybrid nanostructures in InGaAs quantum well and quantum dots array", Proc.16th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - July 14-19 2008, Vladivostok, 2008, p.187-188.

  35. G.E.Cirlin, Yu.B.Samsonenko, V.A.Egorov, I.P.Soshnikov, V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, V.P.Ulin, V.M.Ustinov, F.Glas. "Critical diameter of A3B5 nanowires grown on lattice mismatched substrates by molecular beam epitaxy", Proc.16th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - July 14-19 2008, Vladivostok, 2008, p.141-142.

  36. V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, I.P.Soshnikov, G.E.Cirlin, J.-C.Harmand, G.Patriarche, F.Glas. "Formation of hexagonal crystal structure in nanowires of cubic semiconductor materials", Proc.16th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - July 14-19 2008, Vladivostok, 2008, p.143-144.

  37. N.V.Sibirev, V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, V.A.Egorov, Yu.B.Samsonenko, I.P.Soshnikov, V.M.Ustinov. "Some calculations related to the growth of GaAs nanowires", Proc.16th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - July 14-19 2008, Vladivostok, 2008, p.145-146.

  38. I.P.Soshnikov, G.E.Cirlin, Yu.B.Samsonenko, N.D.Il'inskaya, V.M.Ustinov. "Growth of GaAs nanowiskers in mesa", Proc.16th International Symposium "Nanostructures: physics and technology" - July 14-19 2008, Vladivostok, 2008, p.145-146.

  39. G.E.Cirlin "III-V nanowires on Si: MBE grpwth and potential applications", Abs. 5th Bilateral Russian-French Workshop on Nanoscience and Nanotechnologies, Moskow, December 1-2, 2008, p.27.

  40. J.-C.Harmand, G.Patriarche, F.Glas, C.Sartel, L.Largeau, G.E.Cirlin. "Wurtzite to zinc-blende phase transition in GaAs nanowires induced by epitaxial burying", Abs. 5th Bilateral Russian-French Workshop on Nanoscience and Nanotechnologies, Moskow, December 1-2, 2008, p.22.

  41. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, J.-C.Harmand, G.Patriarche, F.Glas, M.Tchernycheva, C.Sartel "Semiconductor Nanowires in InP and Related Material Systems: MBE Growth and Properties", Proc. 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 25th - 29th May, 2008 - Versailles, France.

  42. Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсоненко, И.П.Сошников, В.А.Егоров, В.П.Улин, В.М.Устинов, M.Tchernycheva, C.Satrel, J.Patriarche, J.C.Harmand. «А3В5 нитевидные кристаллы нанометрового диапазона на поверхности кремния». Труды XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2008, Н.Новгород, с. 27-30.

  43. Л.И.Горай, Н.И.Чхало, Г.Э.Цырлин, «Определение углов наклона и высот граней квантовых точек из анализа диффузного и зеркального рентгеновского рассеяния». Труды XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 10-14 марта 2008, Н.Новгород, с. 200-201.

  44. И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсоненко, В.М.Устинов, С.А.Гусев. «Рост упорядоченных GaAs ННК», Труды XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 10-14 марта 2008, Н.Новгород, с. 347-348.

  45. П.А.Дементьев, М.С.Дунаевский, И.П.Сошников, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин, А.Н.Титков. «Продольные вольтамперные характеристики легированных нитевидных кристаллов с радиальной гетероструктурой GaAs/AlGaAs, частично зарощенных в матрице GaAs», Труды XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 10-14 марта 2008, Н.Новгород, с. 435-436.

  46. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, Yu.B.Samsonenko, V.A.Egorov, I.P.Soshnikov, J.-C.Harmand, G.Patriarche, F.Glas, M.Tchernyxheva. "A3B5 nanowires for optoelectronics", Intel European Research and Innovation Conference, Lexlip, Ireland, 10-12 September, 2008, p. 94.

  47. В.Г.Талалаев, Б.В.Новиков, А.С.Соколов, И.В.Штром, J.W.Tomm, Н.Д.Захаров, P.Werner, Г.Э.Цырлин, А.А.Тонких. «Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем». ФТП, 2007, т. 41, вып. 2, с. 203-210.

  48. М.Б.Смирнов, В.Г.Талалаев, Б.В.Новиков, С.В.Сарангов, Г.Э.Цырлин, Н.Д.Захаров. «Численное моделирование температурной зависимости спектров фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs». ФТТ, 2007, т. 49, вып. 6, с. 1126-1131.

  49. И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, А.А.Тонких, В.В.Неведомский, Ю.Б.Самсоненко, В.М.Устинов. «Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии». ФТТ, 2007, т. 49, вып. 6, с. 1373-1377.

  50. В.Г.Дубровский, И.П.Сошников, Н.В.Сибирев, Г.Э.Цырлин, В.М.Устинов, M.Tchernycheva, J.C.Harmand. «О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов», ФТП, 2007, т. 41, вып. 7, с. 888-896.

  51. T.Warming, W.Wieczorek, M.Geller, D. Bimberg, G.E.Cirlin, A.E.Zhukov, V.M. Ustinov. "Spin storage and readout in self-organized quantum dots", AIP Conference Proceedings - April 10, 2007 -- Volume 893, pp. 957-958.

  52. L.E.Vorobjev, N.K.Fedosov, V.Yu.Panevin, D.A.Firsov, V.A.Shalygin, M.I.Grozina, A.Andreev, V.M.Ustinov, I.S.Tarasov, N.A.Pikhtin, Yu.B.Samsonenko, A.A.Tonkikh, G.E.Cirlin, V.A.Egorov, F.H.Julien, F.Fossard, A.Helman, Kh. Moumanis. "Interband light absorption and Pauli blocking in InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs quantum wells". Semicond. Sci. Technol. 2007, v.22, p.814-818.

  53. J.C.Harmand, M.Tchernycheva, G.Patriarche, L.Travers, F.Glas, G.Cirlin. "GaAs nanowires formed by Au-assisted molecular beam epitaxy: Effect of growth temperature". Journal of Crystal Growth, 2007, v.301-302, p.853-856.

  54. Maria Tchernycheva, George E. Cirlin, Gilles Patriarche, Laurent Travers, Valery Zwiller, Umberto Perinetti, Jean-Christophe Harmand. "Growth and Characterization of InP Nanowires with InAsP Insertions". Nano Lett., 2007, v. 7, p. 1500-1504.

  55. В.Г.Дубровский, Н.В.Сибирев, Г.Э.Цырлин, В.М.Устинов, J.C.Harmand. "Нуклеация на боковой поверхности и ее влияние на форму нитевидных нанокристаллов". ФТП, 2007, т. 41, c. 1256 -1264.

  56. О.А.Неучева, А.А.Евстрапов, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин. «Взаимодействие оптического излучения с массивом нитевидных кристаллов GaAs». ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 21 c. 56-62.

  57. M.Tchernycheva, C.Sartel1, G.Cirlin, L.Travers, G.Patriarche, J.-C.Harmand, Le Si Dang, J Renard, B.Gayral, L.Nevou, F.Julien. "Growth of GaN free-standing nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy: structural and optical characterization", Nanotechnology v.18, 2007, 385306 (7pp).

  58. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, R.A. Suris, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. "Diffusion-controlled growth of semiconductor nanowires: Vapor pressure versus high vacuum deposition". Surf.Sci., v. 601, 2007, p.4395-4401.

  59. Maria Tchernycheva, Laurent Travers, Gilles Patriarche, Frank Glas, Jean-Christophe Harmand, George E. Cirlin, Vladimir G. Dubrovskii. "Au-assisted molecular beam epitaxy of InAs nanowires:Growth and theoretical analysis". J.Appl.Phys., 2007, v. 102, 094313.

  60. В.Э.Птицын. Аномальная термополевая эмиссия. ЖТФ (2007), т. 77, вып. 4, с.113-118.

  61. Л.И. Горай. Внеплоскостная скользящего падения решетка с блеском и радиальными штрихами как эффективный спектральный фильтр для КУФ литографии. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007, № 6, с. 1.

  62. G.E.Cirlin, M.Tchernycheva, G.Patriarche, L.Travers, V.Zwiller, U.Perinetti, J.C.Harmand. "MBE growth and properties of Inp/InAsP/InP nanowire heterostructures", Proc. 15th Int.Symp. " Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007, p. 162-163.

  63. Г.Э.Цырлин, M.Tchernycheva, C.Sartel, G.Patriarche, L.Vila, J.C.Harmand. «А3В5 нитевидные кристаллы нанометрового диапазона для микро- и оптоэлетронных приложений». Труды XI Международного Симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2007 г., с. 187-190.

  64. П.А.Дементьев, М.С.Дунаевский, Л.В.Соколов, О.П.Пчеляков, Ю.Б.Самсоненко, И.П.Сошников, А.Н.Титков, Г.Э.Цырлин. «Исследование электронных и структурных свойств одиночных нитевидных кристаллов (нановискеров) GaAs и Si методами атомно-силовой микроскопии», Труды XI Международного Симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2007 г., с. 474-475.

  65. Н.В.Сибирев, В.Г.Талалаев, А.А.Тонких, Г.Э.Цырлин, В.Г.Дубровский, Н.Д.Захаров, P.Werner. «Зонная структура и спектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками». ФТП, 2006, т. 40, вып. 2, с. 230-234.

  66. В.Г. Дубровский, Н.В.Сибирев, Г.Э.Цырлин, В.М.Устинов. «Теория формирования многослойных тонких пленок на поверхности твердого тела». ФТП, 2006, т. 40, вып. 3, с. 257-263.

  67. М.М.Соболев, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, Е.С.Семенова, В.С.Михрин, Г.Э.Цырлин, Ю.Г.Мусихин. «Связывание состояний электронов в квантовой молекуле InAs/GaAs». ФТП, 2006, т. 40, вып. 3, с. 336-342.

  68. А.А.Тонких, Г.Э.Цырлин, Н.К.Поляков, Ю.Б.Самсоненко, В.М.Устинов, Н.Д.Захаров, Р.Werner, В.Г.Талалаев, Б.В.Новиков. «Влияние разориентации подложки GaAs на свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при низких температурах». ФТП, 2006, т. 40, вып. 5, с. 603-607.

  69. Н.С.Болтовец, В.Н.Иванов, А.Е.Беляев, Р.В.Конакова, Я.Я.Кудрик, В.В.Миленин, И.Н.Арсентьев, А.В.Бобыль, П.Н.Брунков, И.С.Тарасов, А.А.Тонких, В.П.Улин, В.М.Устинов, Г.Э.Цырлин. «Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx в СВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц». ФТП, 2006, т. 40, вып. 6, с. 753-757.

  70. И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, В.Г.Дубровский, А.В.Веретеха, А.Г.Гладышев, В.М.Устинов «Исследование основных закономерностей формирования массивов нитевидных нанокристаллов GaAs методом магнетронного осаждения». ФТТ, 2006, т. 48, вып. 4, с. 737-741.

  71. И.П.Сошников, В.Г.Дубровский, Н.В.Сибирев, В.Т.Барченко, А.В.Веретеха, Г.Э.Цырлин, В.М.Устинов «Формирование массивов GaAs нитевидных нанокристаллов на подложке Si (111) методом магнетронного осаждения». Письма ЖТФ, 2006, т. 32, вып.12, с. 28-33.

  72. G.E.Cirlin, A.A.Tonkikh, Yu.B.Samsonenko, I.P.Soshnikov, N.K.Polyakov, V.G.Dubrovskii, V.M.Ustinov. "A(3)B(5) nanowhiskers: MBE growth and properties". Czech. J.Physics, 2006, v. 56 (1) p. 13-20.

  73. V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, G.ECirlin, J.C.Harmand, V.M.Ustinov. "Theoretical analysis of the vapor-liquid-solid mechanism of nanowire growth during molecular beam epitaxy". PL Rhys.Rev.E, 2006, v. 73 (2): 021603 (11p).

  74. V.G.Dubrovskii, I.P.Soshnikov, N.V.Sibirev, G.E.Cirlin, V.M.Ustinov, "Growth of GaAs nanoscale whiskers by magnetron sputtering deposition". J.Crystal Growth, 2006, v. 289 (1), p.31-36.

  75. В.Г.Дубровский, Н.В.Сибирев, Р.А.Сурис, Г.Э.Цырлин, В.М.Устинов, M.Tchernycheva, J.C. Harmand. «О роли поверхностной диффузии адатомов при формировании нанометровых нитевидных кристаллов». ФТП, 2006, т. 40, вып. 9, с. 1103-1110.

  76. W.Wieczorek, T.Warming, M.Geller, D.Bimberg, G.E.Cirlin, A.E.Zhukov, V.M.Ustinov. "Charge and spin storage in self-organized quantum dots". Appl.Phys.Lett., 2006, v.88 182107 (3p).

  77. M.Tchernycheva, J.C.Harmand, G.Patriarche, L.Travers, G.E.Cirlin. "Temperature conditions for GaAs nanowire formation by Au-assisted molecular beam epitaxy". Nanotechnology, 2006, v.17, p. 4025-4030.

  78. L.E.Vorobjev, D.A.Firsov, V.A.Shalygin, N.K.Fedosov, V.Yu.Panevin, A.Andreev, V.M.Ustinov, G.E.Cirlin, V.A.Egorov, A.A.Tonkikh, F.Fossard, M.Tchernycheva, Kh.Moumanis, F.H.Julien, S.Hanna, A.Seilmeier, H.Sigg. "Intraband light absorption in InAs/GaAs quantum dots covered with InGaAs quantum wells". Semicond.Sci.Technol., 2006, v. 21. p.1341-1347.

  79. V.G.Talalaev, G.E.Cirlin, A.A.Tonkikh, N.D.Zakharov, P.Werner, U.Gosele, J.W.Tomm, T.Elsaesser. "Miniband-related 1.4-1.8 ?m luminescence of Ge/Si quantum dot superlattices". Nanoscale Res.Lett., 2006, v.1 p. 137-153.

  80. V.G.Talalaev, J.W.Tomm, N.D.Zakharov, P.Werner, U.Gosele, B.V.Novikov, A.S.Sokolov, A.Winzer, G.Gobsch, G.E.Cirlin, A.A.Tonkikh. "Biasing of stacked InAs quantum dot array: tuning of inter-dot resonance and control of electron-hole alignment". Proc. 14th Inter. Symp. "Nanostructures: physics and technology", St.Petersburg, Russia, June 26-30, 2006.

  81. A.Fonseca, N.A.Sobolev, J.P.Leitao, E.Alvesa, M.C.Carmo, N.D. Zakharov, P.Werner, A.A.Tonkikh, G.E.Cirlin. "In?uence of defects on the optical and structural properties of Ge dots embedded in an Si/Ge superlattice". Journal of Luminescence, 2006, v121, p.417-420.

  82. V.G.Talalaev, J.W.Tomm, A.S.Sokolov, I.V Shtrom, B.V.Novikov, A.T.Winzer, R.Goldhahn, G.Gobsch, N.D.Zakharov, P.Werner, U.Gosele, G. E. Cirlin, A.A.Tonkikh, V.M.Ustinov, G.G.Tarasov. "Tuning of the interdot resonance in stacked InAs quantum dot arrays by an external electric field". J.Appl.Phys. 2006, v.100, 083704.

  83. A.A.Tonkikh, G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, I.P.Soshnikov, Yu.B.Samsonenko, N.K.Polyakov, V.M.Ustinov. "Influence of MBE growth conditions on the surface morphology of Al(Ga)As nanowhiskers", phys. stat. sol. (a) 2006, v.203, No.6, 1365-1369.

  84. А.А.Тонких, Г.Э.Цырлин, Н.К.Поляков, Ю.Б.Самсоненко, В.М.Устинов, Н.Д.Захаров, P.Werner, В.Г.Талалаев, Б.В.Новиков. «Влияние разориентации подложки GaAs на свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при низких температурах». ФТП, 2006, том 40, вып.5, с. 603-607.

 

 

2005-2004 гг:

  1. Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Птицин В.Э., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Евтихиев В.П., Денисов Д.В., Устинов В.М., Werner P. "Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge/Si(100)-квантовых точек" ФТТ 2005 47(1), с.58-62.
     
  2. Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В. "Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию" ФТТ 2005 47(1), с. 108-111.
     
  3. Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Andreev A.A., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Hanna S., Seilmeier A., Zakharov N.D., Werner P. "Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами" ФТП 2005 39(1), с. 59-62.
     
  4. Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А., Мусихин Ю.Г. "Локализация дырок в квантовой молекуле InAs/GaAs" ФТП 2005 39(1), с. 131-135.
     
  5. Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Поляков Н.К., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Zakharov N.D., Werner P., Andreev A. "Исследование способов получения и свойств квантовых молекул InAs в матрице GaAs" ФТП 2005 39(1), с. 136-139.
     
  6. Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Тонких А.А., Сибирев Н.В., Устинов В.М., Werner P. "Пороговый характер формирования наноразмерных островков в системе Ge/Si(100) в присутствие сурьмы" ФТП 2005 39(5), с. 577-581.
     
  7. Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. "Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии" ФТП 2005 39(5), с. 587-594.
     
  8. Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Берт Н.А., Устинов В.М. "Переход от термодинамического режима формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) к кинетическому" ФТП 39(7), 853-858 (2005).
     
  9. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В. «Зависимость среднего размера квантовых точек от времени на кинетической стадии роста». Письма в ЖТФ, 2005, т. 31, вып. 4, с. 58-63.
     
  10. Dubrovskii V.G. and Sibirev N.V. «Growth rate of a crystal facet of arbitrary size and growth kinetics of vertical nanowires». Phys.Rev.E, 2004, v.70, issue 3, p. 031604 (7 p.).
     
  11. Егоров В.А., Цырлин Г.Э., Талалаев В.Г., Макаров А.Г., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Zakharov N.D., Werner P. «Si/Ge наноструктуры для применений в оптоэлектронике». ФТТ, 2004, т. 46, № 1, с. 53-59.
     
  12. Аверкиев Н.С., Жуков А.Е., Ивaнов Ю.Л., Петров П.В., Романов К.С., Тонких А.А., Устинов В.М., Цырлин Г.Э. “Энергетическая структура A+-центров в квантовых ямах”. ФТП, 2004, т. 38, № 2, с. 222-225.
     
  13. Дубровский В.Г., Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Крыжановская Н.В., Берт Н.А., Устинов В.М. «Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs / GaAs от температуры поверхности и скорости роста», ФТП, 2004, т. 38, № 3, с. 342-347.
     
  14. Брунков П.Н., Усов С.О., Мусихин Ю.Г., Жуков А.Е., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Конников С.Г., Расулова Г.К. «Определение профиля распределения концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs / AlGaAs», ФТП, 2004, т. 38, № 4, с. 469-472.
     
  15. Талалаев В.Г., Tomm J.W., Zakharov N.D., Werner P., Новиков Б.В., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Егоров В.А., Поляков Н.К., Устинов В.М. "Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs" ФТП 2004, т. 38, № 6, с. 723-728.
     
  16. Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Werner P. "О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100)" ФТП 2004, т. 38, № 10, с. 1239-1244.
     
  17. Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М. "Свойства нановискеров GaAs на поверхности GaAs (111)B, полученных комбинированным методом" ФТП 2004, т. 38, № 10, с. 1256-1260.
     
  18. Дубровский В.Г., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Тонких А.А., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э. "Влияние времени экспозиции в потоке мышьяка на оптические свойства ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs(100)" Письма в ЖТФ 2004, т. 30, № 7, с. 30-35.
     
  19. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. "Кинетическая модель роста нанометровых нитевидных кристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл"", Письма в ЖТФ 2004, т. 30, № 16, с. 41-50.
     
  20. Сошников И.П., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М. "Некоторые особенности формирования нанометровых нитевидных кристаллов на подложках GaAs (100) методом МПЭ", Письма в ЖТФ 2004, т. 30, № 18, с. 28-35.
     
  21. Дубровский В.Г., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Werner P. "Особенности морфологии массива Ge островков на поверхности Si(100) при докритической толщине осажденного слоя Ge", Письма в ЖТФ 2004, т. 30, № 21, с. 72-80.
     
  22. Dubrovskii V.G., Cirlin G.E. and Ustinov V.M. «The effective thickness, temperature and growth rate behavior of quantum dot ensembles». phys.stat.sol.(b), 2004, v. 241, № 10, p. R42-R45. <
     
  23. Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Cirlin G.E., Tonkikh A.A., Samsonenko Yu B., Sibirev N.V. and Ustinov V.M. “On the non-monotonic lateral size dependence of the height of GaAs nanowhiskers grown by molecular beam epitaxy at high temperature”// Phys. Stat. Sol. (b) 2004 241(7), R30 –R33.
     
  24. Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Musikhin Yu.G., Samsonenko Yu.B., Tonkikh A.A., Polyakov N.K., Egorov V.A., Tsatsul'nikov A.F., Krizhanovskaya N.A., Ustinov V.M. and Werner P. “Effect of growth kinetics on the structural and optical properties of quantum dot ensembles” // Journal of Crystal Growth 2004 267(1-2), р. 47-59.
     
  25. Talalaev V. G., Tomm J. W., Zakharov N. D., Werner P., Novikov B. V. and Tonkikh A. A. “Transient spectroscopy of InAs quantum dot molecules”// Appl.Phys.Lett. 2004 85(2), р. 284-286.
     

ИАП РАН, Рижский пр., 26., Санкт-Петербург, 190103
тел.: (812) 3630719, факс: (812) 3630720, mail: iap@ianin.spb.su